Power Integrations dołącza do inicjatywy Nvidii dotyczącej zasilania centrów danych

pon, 10 lis 2025, 17:43 CET, NY 11:43, Londyn 16:43, Tokio 1:43, ^SPX +0.70%

Symbol np: ^SPX

Przegląd wiadomości (Reuters)

Widok: Ostatnia \| Kilka \| Wszystkie	Kategoria: Biznes \| Kraj i Świat \| Kraj \| Świat \| Wszystkie


Źródła:	Szukaj w niusach:

Power Integrations dołącza do inicjatywy Nvidii dotyczącej zasilania centrów danych
Reuters - Biznes
13 paź 2025, 17:39

13.10.2025 (Reuters) - Power Integrations, niszowy producent układów scalonych do zarządzania energią, poinformował w poniedziałek, że współpracuje z Nvidią nad inicjatywą giganta sztucznej inteligencji, której celem jest podniesienie napięć w centrach danych. [1]

Ta współpraca jest częścią szerszej inicjatywy Nvidii, ogłoszonej wcześniej w tym roku, polegającej na przejściu ogromnych centrów danych AI na wewnętrzny system dystrybucji mocy w postaci 800-woltowego prądu stałego. Ten krok ma zminimalizować straty energii powstające podczas przesyłania elektryczności wewnątrz centrum danych. Power Integrations dostarczy układy z azotku galu (GaN), które potrafią sprostać wysokim wymaganiom energetycznym procesorów Nvidii, zajmując przy tym mniej miejsca niż tradycyjne układy krzemowe. [+2][2, 3]

Roland Saint-Pierre, wiceprezes ds. rozwoju produktu w Power Integrations, zauważył, że doświadczenie firmy w branży motoryzacyjnej było kluczowym czynnikiem przy włączeniu jej na listę zatwierdzonych dostawców Nvidii. Wymagające testy niezawodności, których wymagają komponenty samochodowe, dały Nvidii pewność, że Power Integrations potrafi sprostać surowym standardom pracy centrów danych. Firma dołącza do innych partnerów Nvidii, takich jak Infineon i InnoScience, w tym przedsięwzięciu. [+2][4, 5]

W dokumencie technicznym Power Integrations przedstawiło zalety swojej technologii PowiGaN 1250 V i 1700 V dla centrów danych nowej generacji 800 VDC. Firma twierdzi, że pojedynczy przełącznik PowiGaN 1250 V zapewnia wyższą gęstość mocy i sprawność niż alternatywne rozwiązania, takie jak łączone tranzystory GaN FET 650 V lub urządzenia z węglika krzemu 1200 V, umożliwiając uzyskanie sprawności przekraczającej 98% w tej architekturze. [+2][6, 7]

(Reuters, AI)

g25p/ o3p/

Powyższy materiał tekstowy został przetłumaczony i sformatowany automatycznie. Treść przewodnia pochodzi z tekstu Reuters, do którego link znajduje się na końcu pierwszego akapitu. Opcjonalne treści od drugiego akapitu włącznie zostały wygenerowane z użyciem AI na bazie informacji dostępnych w internecie (na końcu każdego z akapitów dostępne są linki do stron, z których informacje zostały pozyskane). Cały tekst może nie być wolny od błędów, w tym semantycznych i merytorycznych.

RSS